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Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS6N80ARR-G


Produttore
Codice Parte Mfr.
CS6N80ARR-G
Codice Parte EBEE
E82832481
Confezione
TO-262-3
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
-
Descrizione
800V 6A 1.8Ω@10V,3A 180W 4V@250uA TO-262-3 MOSFETs ROHS
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
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Qualità
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
Qtà.Prezzo UnitarioPrezzo Tot.
1+$0.5703$ 0.5703
10+$0.4632$ 4.6320
50+$0.4089$ 20.4450
100+$0.3561$ 35.6100
500+$0.3244$ 162.2000
1000+$0.3078$ 307.8000
2000+$0.3033$ 606.6000
4000+$0.3018$ 1207.2000
TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaTransistor / I trasori ,I MOSFET
Scheda TecnicaWuxi China Resources Huajing Microelectronics CS6N80ARR-G
RoHS
Tipo di tipoN-Channel
RDS (on)2.2Ω@10V
Temperatura di funzionamento --55℃~+150℃
Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds)4.7pF
Number1 N-channel
Pd - Power Dissipation180W
Drain to Source Voltage800V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4V
Current - Continuous Drain(Id)6A
Ciss-Input Capacitance1.556nF
Output Capacitance(Coss)115pF
Gate Charge(Qg)28.4nC@10V

Guida all’acquisto

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