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Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS4N60A3R
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | CS4N60A3R |
| Codice Parte EBEE | E8140732 |
| Confezione | TO-251 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 600V 4A 2.5Ω@10V,2A 75W 4V@250uA 1 N-channel TO-251(IPAK) MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2488 | $ 0.2488 |
| 10+ | $0.1971 | $ 1.9710 |
| 30+ | $0.1749 | $ 5.2470 |
| 75+ | $0.1473 | $ 11.0475 |
| 525+ | $0.1350 | $ 70.8750 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,I MOSFET | |
| Scheda Tecnica | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS4N60A3R | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 2.5Ω@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | - | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 75W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Output Capacitance(Coss) | - | |
| Gate Charge(Qg) | 14.5nC@10V |
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| 10+ | $0.1971 | $ 1.9710 |
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