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Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS1N60A4H


Produttore
Codice Parte Mfr.
CS1N60A4H
Codice Parte EBEE
E8162383
Confezione
TO-252
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
-
Descrizione
600V 800mA 25W 15Ω@10V,400mA 4V@250uA 1 N-channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS
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50+$0.1280$ 6.4000
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20000+$0.0812$ 1624.0000
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TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaTransistor / I trasori ,I MOSFET
Scheda TecnicaWuxi China Resources Huajing Microelectronics CS1N60A4H
RoHS
Tipo di tipoN-Channel
RDS (on)15Ω@10V
Temperatura di funzionamento --55℃~+150℃
Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds)2.6pF
Number1 N-channel
Pd - Power Dissipation25W
Drain to Source Voltage600V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4V
Current - Continuous Drain(Id)800mA
Ciss-Input Capacitance10.7pF
Output Capacitance(Coss)10.7pF
Gate Charge(Qg)4nC@10V

Guida all’acquisto

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