Recommonended For You
Le immagini sono solo a scopo di riferimento
Aggiungi ai Preferiti
Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS10N65FA9R
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | CS10N65FA9R |
| Codice Parte EBEE | E8115511 |
| Confezione | TO-220F |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 650V 10A 1Ω@10V,5A 40W 4V@250uA 1 N-channel TO-220F MOSFETs ROHS |
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
Scopri di più >>In Magazzino : Si Prega di Richiedere
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6819 | $ 0.6819 |
| 10+ | $0.5501 | $ 5.5010 |
| 50+ | $0.4827 | $ 24.1350 |
| 100+ | $0.4168 | $ 41.6800 |
| 500+ | $0.3785 | $ 189.2500 |
| 1000+ | $0.3570 | $ 357.0000 |
Consigliato Per Te
Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,I MOSFET | |
| Scheda Tecnica | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS10N65FA9R | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 1Ω@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | - | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 7pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 40W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.642nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 128pF | |
| Gate Charge(Qg) | 32nC@10V |
Guida all’acquisto
Espandi
In Magazzino : Si Prega di Richiedere
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6819 | $ 0.6819 |
| 10+ | $0.5501 | $ 5.5010 |
| 50+ | $0.4827 | $ 24.1350 |
| 100+ | $0.4168 | $ 41.6800 |
| 500+ | $0.3785 | $ 189.2500 |
| 1000+ | $0.3570 | $ 357.0000 |
