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Wuxi China Resources Huajing Microelectronics BT25T120CKR


Produttore
Codice Parte Mfr.
BT25T120CKR
Codice Parte EBEE
E8696830
Confezione
TO-247-3
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
-
Descrizione
208W 50A 1.2kV TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
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Nome Contatto
Email Aziendale
Nome Azienda
Paese
Qualità
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
Qtà.Prezzo UnitarioPrezzo Tot.
1+$1.8783$ 1.8783
10+$1.6250$ 16.2500
30+$1.4657$ 43.9710
100+$1.3028$ 130.2800
500+$1.2287$ 614.3500
1000+$1.1961$ 1196.1000
TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaTransistor / I trasori ,Transistor / Moduli IGBT
Scheda TecnicaWuxi China Resources Huajing Microelectronics BT25T120CKR
RoHS
Temperatura di funzionamento-
Tipo di tipo-
Corrente del collettore (Ic)50A
Dissipazione di potenza (Pd)208W
- Si gira? - Si'. Tempo di ritardo (Td(off))198ns
- Si gira? - Si'. Tempo di ritardo (Td(on))34ns
Tensione di rottura del collettore-emettitore (Vces)1.2kV
Capacità di ingresso (Cies-Vce)2.37nF@30V
Porta-emettitore Tensione della soglia (Vge(th)-Ic)5.8V@250uA
Carica totale del cancello (Qg-Ic,Vge)145nC@25A,15V
Tempo di recupero inverso del Diode (Trr)-
- Si gira? - Si'. Spegnimento di spegnimento (Eoff)0.95mJ
- Si gira? - Si'. Perdita di commutazione (Eon)1.88mJ
Tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)-Ic,Vge)1.95V@25A,15V
Tensione dia-proverso della dide (Vf-If)2.7V@25A

Guida all’acquisto

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