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MASPOWER ESJ100SH60N
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | ESJ100SH60N |
| Codice Parte EBEE | E837635852 |
| Confezione | FD7 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | FD7 IGBT Transistors / Modules ROHS |
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $22.1222 | $ 22.1222 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,Transistor / Moduli IGBT | |
| Scheda Tecnica | MASPOWER ESJ100SH60N | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -40℃~+125℃ | |
| Tensione di rottura del collettore-emettitore (Vces) | 600V | |
| Porta-emettitore Tensione della soglia (Vge(th)-Ic) | 3.5V@250uA | |
| IGBT Type | NPT (Non-Punch Through) | |
| Gate Charge(Qg) | 560nC@15V | |
| Td(off) | 250ns | |
| Td(on) | 120ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 280pF | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 180ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 1.9mJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 1mJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 5.85nF | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | 200A | |
| Output Capacitance(Coes) | 780pF |
Guida all’acquisto
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