| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | Si2318CDS-T1-GE3 |
| Codice Parte EBEE | E814498 |
| Confezione | SOT-23 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 40V 5.6A 1.3W 0.042Ω@10V,5.6A 2.5V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1508 | $ 0.7540 |
| 50+ | $0.1241 | $ 6.2050 |
| 150+ | $0.1107 | $ 16.6050 |
| 500+ | $0.1007 | $ 50.3500 |
| 3000+ | $0.0826 | $ 247.8000 |
| 6000+ | $0.0786 | $ 471.6000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,I MOSFET | |
| Scheda Tecnica | Vishay Intertech Si2318CDS-T1-GE3 | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 51mΩ@4.5V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 30pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.1W | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5.6A | |
| Ciss-Input Capacitance | 340pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 60pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1508 | $ 0.7540 |
| 50+ | $0.1241 | $ 6.2050 |
| 150+ | $0.1107 | $ 16.6050 |
| 500+ | $0.1007 | $ 50.3500 |
| 3000+ | $0.0826 | $ 247.8000 |
| 6000+ | $0.0786 | $ 471.6000 |
