Recommonended For You
Le immagini sono solo a scopo di riferimento
Aggiungi ai Preferiti

Vishay Intertech Si2308BDS-T1-GE3


Produttore
Codice Parte Mfr.
Si2308BDS-T1-GE3
Codice Parte EBEE
E812298
Confezione
SOT-23-3
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
EAR99
Descrizione
60V 2.3A 0.156Ω@10V,2.3A 1.09W 1V@250uA 1 N-channel SOT-23-3 MOSFETs ROHS
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
Scopri di più >>

In Magazzino : Si Prega di Richiedere

Invia RFQ, risponderemo immediatamente.

Nome Contatto
Email Aziendale
Nome Azienda
Paese
Qualità
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
Qtà.Prezzo UnitarioPrezzo Tot.
1+$0.2336$ 0.2336
10+$0.1880$ 1.8800
30+$0.1685$ 5.0550
100+$0.1441$ 14.4100
500+$0.1332$ 66.6000
1000+$0.0998$ 99.8000
TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaTransistor / I trasori ,I MOSFET
Scheda TecnicaVishay Intertech Si2308BDS-T1-GE3
RoHS
Tipo di tipoN-Channel
RDS (on)192mΩ@4.5V
Temperatura di funzionamento --
Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds)-
Number1 N-channel
Pd - Power Dissipation1.8W
Drain to Source Voltage60V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))3V
Current - Continuous Drain(Id)2.3A
Ciss-Input Capacitance-
Output Capacitance(Coss)-
Gate Charge(Qg)6.8nC@10V

Guida all’acquisto

Espandi