| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | 6R190C6 TO220F-VB |
| Codice Parte EBEE | E819188229 |
| Confezione | TO-220F |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 650V 1 N-channel TO-220F MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.1017 | $ 3.1017 |
| 10+ | $2.6921 | $ 26.9210 |
| 50+ | $2.2456 | $ 112.2800 |
| 100+ | $1.9822 | $ 198.2200 |
| 500+ | $1.8633 | $ 931.6500 |
| 1000+ | $1.8119 | $ 1811.9000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec 6R190C6 TO220F-VB | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| La configurazione | - | |
| RDS (on) | 190mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | - | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 4pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 208W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.322nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 105pF | |
| Gate Charge(Qg) | 106nC@10V |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.1017 | $ 3.1017 |
| 10+ | $2.6921 | $ 26.9210 |
| 50+ | $2.2456 | $ 112.2800 |
| 100+ | $1.9822 | $ 198.2200 |
| 500+ | $1.8633 | $ 931.6500 |
| 1000+ | $1.8119 | $ 1811.9000 |
