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| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STF10NM60N |
| Codice Parte EBEE | E810650 |
| Confezione | TO-220FP |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 650V 10A 0.55Ω@10V,4A 25W 4V@250uA 1 N-channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5399 | $ 0.5399 |
| 10+ | $0.4916 | $ 4.9160 |
| 30+ | $0.4647 | $ 13.9410 |
| 100+ | $0.4338 | $ 43.3800 |
| 500+ | $0.4204 | $ 210.2000 |
| 1000+ | $0.4148 | $ 414.8000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STF10NM60N | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 550mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 1.2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 25W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 540pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 44pF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5399 | $ 0.5399 |
| 10+ | $0.4916 | $ 4.9160 |
| 30+ | $0.4647 | $ 13.9410 |
| 100+ | $0.4338 | $ 43.3800 |
| 500+ | $0.4204 | $ 210.2000 |
| 1000+ | $0.4148 | $ 414.8000 |
