Recommonended For You
Le immagini sono solo a scopo di riferimento
Aggiungi ai Preferiti

UTC(Unisonic Tech) UT3N10G-AE3-R


Produttore
Codice Parte Mfr.
UT3N10G-AE3-R
Codice Parte EBEE
E8258267
Confezione
SOT-23
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
-
Descrizione
100V 3A 0.165Ω@10V,3A 350mW 1V@250uA 1 N-channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
Scopri di più >>
2940 In Magazzino per Consegna Rapida
2940 disponibile per consegna immediata
Può essere spedito in 1-2 Giorni Lavorativi
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
Qtà.Prezzo UnitarioPrezzo Tot.
5+$0.0916$ 0.4580
50+$0.0741$ 3.7050
150+$0.0654$ 9.8100
500+$0.0588$ 29.4000
3000+$0.0536$ 160.8000
6000+$0.0509$ 305.4000
Miglior prezzo per quantità maggiori?
$
TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaTransistors/Thyristors ,MOSFETs
Scheda TecnicaUTC(Unisonic Tech) UT3N10G-AE3-R
RoHS
TypeN-Channel
RDS(on)165mΩ@10V
Operating Temperature --55℃~+150℃
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)36pF
Number1 N-channel
Pd - Power Dissipation350mW
Drain to Source Voltage100V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))3V
Current - Continuous Drain(Id)3A
Ciss-Input Capacitance720pF
Output Capacitance(Coss)45pF
Gate Charge(Qg)20nC

Guida all’acquisto

Espandi