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UMW(Youtai Semiconductor Co., Ltd.) 1N65G
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | 1N65G |
| Codice Parte EBEE | E8404319 |
| Confezione | SOT-223 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 650V 1A 140W 8.5Ω@10V,0.5A 4V@250uA 1 N-Channel SOT-223-4 MOSFETs ROHS |
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| 500+ | $0.0521 | $ 26.0500 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,I MOSFET | |
| Scheda Tecnica | UMW(Youtai Semiconductor Co., Ltd.) 1N65G | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 11Ω@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 5.4pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | - | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1A | |
| Ciss-Input Capacitance | 150pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 25pF | |
| Gate Charge(Qg) | 4.8nC@10V |
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