| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | P1006BD |
| Codice Parte EBEE | E83034551 |
| Confezione | TO-252-2 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 60V 66A 96W 10mΩ@10V,20A 1.3V@250uA 1 N-channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4155 | $ 0.4155 |
| 10+ | $0.3197 | $ 3.1970 |
| 30+ | $0.2800 | $ 8.4000 |
| 100+ | $0.2276 | $ 22.7600 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,I MOSFET | |
| Scheda Tecnica | U-NIKC P1006BD | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 60V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 66A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 10mΩ@10V,20A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 96W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 1.3V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 140pF@25V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 1.92nF@25V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 42nC@10V |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4155 | $ 0.4155 |
| 10+ | $0.3197 | $ 3.1970 |
| 30+ | $0.2800 | $ 8.4000 |
| 100+ | $0.2276 | $ 22.7600 |
