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Truesemi TSA50N20M
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | TSA50N20M |
| Codice Parte EBEE | E83647138 |
| Confezione | TO-3P |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 200V 50A 0.046Ω@10V,50A 300W 4V@250uA 1 N-channel TO-3P MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8903 | $ 0.8903 |
| 10+ | $0.7998 | $ 7.9980 |
| 30+ | $0.7510 | $ 22.5300 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,I MOSFET | |
| Scheda Tecnica | Truesemi TSA50N20M | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| La configurazione | - | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 200V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 50A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.046Ω@10V,50A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 300W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 280pF@25V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 4.01nF@25V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 244nC@10V |
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