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TOSHIBA SSM6J214FE(TE85L,F
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | SSM6J214FE(TE85L,F |
| Codice Parte EBEE | E8516172 |
| Confezione | SOT-563(SOT-666) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 30V 3.6A 50mΩ@3A,10V 500mW 1.2V@1mA 1 Piece P-Channel SOT-563(SOT-666) MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2530 | $ 1.2650 |
| 50+ | $0.2040 | $ 10.2000 |
| 150+ | $0.1830 | $ 27.4500 |
| 500+ | $0.1568 | $ 78.4000 |
| 2500+ | $0.1451 | $ 362.7500 |
| 4000+ | $0.1381 | $ 552.4000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,I MOSFET | |
| Scheda Tecnica | TOSHIBA SSM6J214FE(TE85L,F | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | P-Channel | |
| RDS (on) | 50mΩ@10V | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 65pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 500mW | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3.6A | |
| Ciss-Input Capacitance | 560pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 80pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
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