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TOSHIBA GT60M324(Q)


Produttore
Codice Parte Mfr.
GT60M324(Q)
Codice Parte EBEE
E8396027
Confezione
TO-3P-3
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
-
Descrizione
254W 60A 900V TO-3P-3 IGBT Transistors / Modules ROHS
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
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In Magazzino : Si Prega di Richiedere

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Nome Contatto
Email Aziendale
Nome Azienda
Paese
Qualità
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
Qtà.Prezzo UnitarioPrezzo Tot.
1+$2.0981$ 2.0981
10+$2.0572$ 20.5720
30+$2.0307$ 60.9210
100+$2.0040$ 200.4000
TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaTransistor / I trasori ,Transistor / Moduli IGBT
Scheda TecnicaTOSHIBA GT60M324(Q)
RoHS
Temperatura di funzionamento-
Tipo di tipo-
Corrente del collettore (Ic)60A
Dissipazione di potenza (Pd)254W
- Si gira? - Si'. Tempo di ritardo (Td(off))360ns
- Si gira? - Si'. Tempo di ritardo (Td(on))310ns
Tensione di rottura del collettore-emettitore (Vces)900V
Capacità di ingresso (Cies-Vce)3.6nF@10V
Porta-emettitore Tensione della soglia (Vge(th)-Ic)7.5V@60mA
Carica totale del cancello (Qg-Ic,Vge)-
Tempo di recupero inverso del Diode (Trr)800ns
- Si gira? - Si'. Spegnimento di spegnimento (Eoff)-
- Si gira? - Si'. Perdita di commutazione (Eon)-
Tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)-Ic,Vge)1.7V@60A,15V
Tensione dia-proverso della dide (Vf-If)1.3V@15A

Guida all’acquisto

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