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TOSHIBA GT50JR22(S1WLD,E,S)
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | GT50JR22(S1WLD,E,S |
| Codice Parte EBEE | E82880445 |
| Confezione | TO-3P-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | TO-3P-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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2007 disponibile per consegna immediataPuò essere spedito in 1-2 Giorni Lavorativi
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.6308 | $ 1.6308 |
| 10+ | $1.3625 | $ 13.6250 |
| 25+ | $1.0354 | $ 25.8850 |
| 100+ | $0.8702 | $ 87.0200 |
| 500+ | $0.7956 | $ 397.8000 |
| 1000+ | $0.7623 | $ 762.3000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistors/Thyristors ,IGBT Transistors / Modules | |
| Scheda Tecnica | TOSHIBA GT50JR22(S1WLD,E,S | |
| RoHS | ||
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 600V | |
| Pd - Power Dissipation | 250W | |
| Td(off) | 330ns | |
| Td(on) | 250ns | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 350ns | |
| Input Capacitance(Cies) | 2.7nF | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | 100A |
Guida all’acquisto
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2007 Stock for Shipping Fast
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| 1+ | $1.6308 | $ 1.6308 |
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