| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | SI7288DP-T1-GE3(TOKMAS) |
| Codice Parte EBEE | E819626229 |
| Confezione | DFN-8(5x6) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 40V 25A 13mΩ 34.7W 2 N-Channel DFN-8(5x6) MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3268 | $ 1.6340 |
| 50+ | $0.2544 | $ 12.7200 |
| 150+ | $0.2233 | $ 33.4950 |
| 490+ | $0.1885 | $ 92.3650 |
| 2450+ | $0.1713 | $ 419.6850 |
| 4900+ | $0.1609 | $ 788.4100 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,I MOSFET | |
| Scheda Tecnica | Tokmas SI7288DP-T1-GE3(TOKMAS) | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 20mΩ@4.5V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 175pF | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 34.7W | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 25A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.15nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 220pF | |
| Gate Charge(Qg) | 32nC@10V |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3268 | $ 1.6340 |
| 50+ | $0.2544 | $ 12.7200 |
| 150+ | $0.2233 | $ 33.4950 |
| 490+ | $0.1885 | $ 92.3650 |
| 2450+ | $0.1713 | $ 419.6850 |
| 4900+ | $0.1609 | $ 788.4100 |
