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Tokmas SI7288DP-T1-GE3(TOKMAS)


Produttore
Codice Parte Mfr.
SI7288DP-T1-GE3(TOKMAS)
Codice Parte EBEE
E819626229
Confezione
DFN-8(5x6)
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
-
Descrizione
40V 25A 13mΩ 34.7W 2 N-Channel DFN-8(5x6) MOSFETs ROHS
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TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaTransistor / I trasori ,I MOSFET
Scheda TecnicaTokmas SI7288DP-T1-GE3(TOKMAS)
RoHS
Tipo di tipoN-Channel
RDS (on)20mΩ@4.5V
Temperatura di funzionamento --55℃~+150℃
Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds)175pF
Number2 N-Channel
Pd - Power Dissipation34.7W
Drain to Source Voltage40V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))2.5V
Current - Continuous Drain(Id)25A
Ciss-Input Capacitance2.15nF
Output Capacitance(Coss)220pF
Gate Charge(Qg)32nC@10V

Guida all’acquisto

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