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Tokmas FQD2N100TM
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | FQD2N100TM |
| Codice Parte EBEE | E85250728 |
| Confezione | TO-252 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 1kV 2A 85W 7.8Ω@10V,1A 2V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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| 1+ | $0.6415 | $ 0.6415 |
| 10+ | $0.5319 | $ 5.3190 |
| 30+ | $0.4764 | $ 14.2920 |
| 100+ | $0.4224 | $ 42.2400 |
| 500+ | $0.3414 | $ 170.7000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,I MOSFET | |
| Scheda Tecnica | Tokmas FQD2N100TM | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 7.8Ω@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 4pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 85W | |
| Drain to Source Voltage | 1kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2A | |
| Ciss-Input Capacitance | 380pF | |
| Gate Charge(Qg) | 15nC@10V |
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