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TECH PUBLIC TPM2008EP3-A


Produttore
Codice Parte Mfr.
TPM2008EP3-A
Codice Parte EBEE
E82827633
Confezione
DFN1006-3L
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
-
Descrizione
20V 700mA 130mΩ@4.5V,650mA 100mW 750mV@250uA 1 N-Channel DFN1006-3 MOSFETs ROHS
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200+$0.0276$ 5.5200
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20000+$0.0163$ 326.0000
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TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaTransistor / I trasori ,I MOSFET
Scheda TecnicaTECH PUBLIC TPM2008EP3-A
RoHS
Tipo di tipoN-Channel
RDS (on)370mΩ@25V
Temperatura di funzionamento --
Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds)15pF
Number1 N-channel
Pd - Power Dissipation100mW
Drain to Source Voltage20V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))1.1V
Current - Continuous Drain(Id)700mA
Ciss-Input Capacitance120pF
Output Capacitance(Coss)20pF
Gate Charge(Qg)-

Guida all’acquisto

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