Recommonended For You
Le immagini sono solo a scopo di riferimento
Aggiungi ai Preferiti

STMicroelectronics STGWA80H65DFB


Produttore
Codice Parte Mfr.
STGWA80H65DFB
Codice Parte EBEE
E85268579
Confezione
TO-247
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
EAR99
Descrizione
TO-247 IGBT Transistors / Modules ROHS
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
Scopri di più >>
6 In Magazzino per Consegna Rapida
6 disponibile per consegna immediata
Può essere spedito in 1-2 Giorni Lavorativi
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
Qtà.Prezzo UnitarioPrezzo Tot.
1+$3.1373$ 3.1373
10+$2.6690$ 26.6900
30+$2.3768$ 71.3040
90+$2.0768$ 186.9120
510+$1.9402$ 989.5020
990+$1.8815$ 1862.6850
Miglior prezzo per quantità maggiori?
$
TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaTransistor / I trasori ,Transistor / Moduli IGBT
Scheda TecnicaSTMicroelectronics STGWA80H65DFB
RoHS
Temperatura di funzionamento-55℃~+175℃
Tensione di rottura del collettore-emettitore (Vces)650V
Porta-emettitore Tensione della soglia (Vge(th)-Ic)5V@1mA
Pd - Power Dissipation469W
Gate Charge(Qg)414nC@15V
Td(off)280ns
Td(on)84ns
Reverse Transfer Capacitance (Cres)215pF
Reverse Recovery Time(trr)85ns
Switching Energy(Eoff)1.5mJ
Turn-On Energy (Eon)2.1mJ
Input Capacitance(Cies)10.524nF
Pulsed Current- Forward(Ifm)240A
Output Capacitance(Coes)385pF

Guida all’acquisto

Espandi