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STMicroelectronics STGB30M65DF2
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STGB30M65DF2 |
| Codice Parte EBEE | E82970045 |
| Confezione | D2PAK |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 258W 60A 650V FS(Field Stop) D2PAK IGBT Transistors / Modules ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
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| 1+ | $1.7284 | $ 1.7284 |
| 10+ | $1.4457 | $ 14.4570 |
| 30+ | $1.2899 | $ 38.6970 |
| 100+ | $1.1132 | $ 111.3200 |
| 500+ | $1.0345 | $ 517.2500 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,Transistor / Moduli IGBT | |
| Scheda Tecnica | STMicroelectronics STGB30M65DF2 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Tensione di rottura del collettore-emettitore (Vces) | 650V | |
| Porta-emettitore Tensione della soglia (Vge(th)-Ic) | - | |
| Pd - Power Dissipation | 258W | |
| IGBT Type | FS (Field Stop) | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 140ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 960uJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 300uJ | |
| Input Capacitance(Cies) | - |
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