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STMicroelectronics STGB19NC60KDT4


Produttore
Codice Parte Mfr.
STGB19NC60KDT4
Codice Parte EBEE
E8314017
Confezione
D2PAK
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
EAR99
Descrizione
125W 35A 600V D2PAK IGBT Transistors / Modules ROHS
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TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaTransistor / I trasori ,Transistor / Moduli IGBT
Scheda TecnicaSTMicroelectronics STGB19NC60KDT4
RoHS
Temperatura di funzionamento-55℃~+150℃@(Tj)
Tensione di rottura del collettore-emettitore (Vces)600V
Porta-emettitore Tensione della soglia (Vge(th)-Ic)2.75V@15V,12A
Pd - Power Dissipation125W
IGBT Type-
Gate Charge(Qg)55nC
Td(off)105ns
Td(on)30ns
Reverse Transfer Capacitance (Cres)28pF
Reverse Recovery Time(trr)31ns
Switching Energy(Eoff)255uJ
Turn-On Energy (Eon)165uJ
Input Capacitance(Cies)1.17nF
Pulsed Current- Forward(Ifm)50A
Output Capacitance(Coes)127pF

Guida all’acquisto

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