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STMicroelectronics STD100N10F7
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STD100N10F7 |
| Codice Parte EBEE | E8457507 |
| Confezione | DPAK |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 100V 80A 120W 8mΩ@10V,40A 4.5V@250uA 1 N-Channel DPAK MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
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| 1+ | $0.7377 | $ 0.7377 |
| 10+ | $0.6629 | $ 6.6290 |
| 30+ | $0.6207 | $ 18.6210 |
| 100+ | $0.5755 | $ 57.5500 |
| 500+ | $0.5537 | $ 276.8500 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,I MOSFET | |
| Scheda Tecnica | STMicroelectronics STD100N10F7 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | - | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 120W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 80A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.369nF | |
| Gate Charge(Qg) | 61nC@10V |
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