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Solid State System 2N3110
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | 2N3110 |
| Codice Parte EBEE | E86996971 |
| Confezione | TO-39 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 40V 800mW 40@150mA,1V 1A NPN TO-39 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.6106 | $ 2.6106 |
| 200+ | $1.0422 | $ 208.4400 |
| 500+ | $1.0074 | $ 503.7000 |
| 1000+ | $0.9899 | $ 989.9000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Scheda Tecnica | Solid State System 2N3110 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Corrente del collettore (Ic) | 1A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 800mW | |
| Ritaglio di taglio corrente (Icbo) | 10nA | |
| Tensione di Ripartizione del Collettore-Emettitore (Vceo) | 40V | |
| Guadagno di corrente di CC (hFE-Ic,Vce) | 40@150mA,1V | |
| Frequenza di transizione (fT) | 60MHz | |
| Tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)-Ic, Ib) | 1V@100mA,1A | |
| Tipo di transistor | NPN |
Guida all’acquisto
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.6106 | $ 2.6106 |
| 200+ | $1.0422 | $ 208.4400 |
| 500+ | $1.0074 | $ 503.7000 |
| 1000+ | $0.9899 | $ 989.9000 |
