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MDD(Microdiode Semiconductor) MMBT5551-E


Produttore
Codice Parte Mfr.
MMBT5551-E
Codice Parte EBEE
E841371418
Confezione
SOT-23
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
-
Descrizione
160V 300mW 80@1mA,5V 600mA NPN SOT-23 Bipolar (BJT) ROHS
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TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaTransistor / I trasori ,Bipolare (BJT)
Scheda TecnicaMDD(Microdiode Semiconductor) MMBT5551-E
RoHS
Temperatura di funzionamento-55℃~+150℃
Tipo di tipoNPN
Collector - Emitter Voltage VCEO160V
Current - Collector(Ic)600mA
Number1 NPN
Pd - Power Dissipation300mW
DC Current Gain300
Emitter-Base Voltage(Vebo)6V
Current - Collector Cutoff50nA
Vce Saturation(VCE(sat))250mV
Transition frequency(fT)300MHz

Guida all’acquisto

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