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Solid State System 2N2102
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | 2N2102 |
| Codice Parte EBEE | E85487511 |
| Confezione | TO-39 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 65V 1mW 40@150mA,10V 1A NPN TO-39 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.5231 | $ 1.5231 |
| 200+ | $0.6082 | $ 121.6400 |
| 500+ | $0.5873 | $ 293.6500 |
| 1000+ | $0.5786 | $ 578.6000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Scheda Tecnica | Solid State System 2N2102 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Corrente del collettore (Ic) | 1A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 1mW | |
| Ritaglio di taglio corrente (Icbo) | 2nA | |
| Tensione di Ripartizione del Collettore-Emettitore (Vceo) | 65V | |
| Guadagno di corrente di CC (hFE-Ic,Vce) | 40@150mA,10V | |
| Frequenza di transizione (fT) | 60MHz | |
| Tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)-Ic, Ib) | 500mV@15mA,150mA | |
| Tipo di transistor | NPN |
Guida all’acquisto
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.5231 | $ 1.5231 |
| 200+ | $0.6082 | $ 121.6400 |
| 500+ | $0.5873 | $ 293.6500 |
| 1000+ | $0.5786 | $ 578.6000 |
