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Shanghai Prisemi Elec PNMT8N1
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | PNMT8N1 |
| Codice Parte EBEE | E8110718 |
| Confezione | DFN-10-EP(2x3) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 20V 300mA 150mW 500mΩ@4V,300mA 1.1V@1mA 1 N-channel DFN-10-EP(2x3) MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0869 | $ 0.4345 |
| 50+ | $0.0710 | $ 3.5500 |
| 150+ | $0.0630 | $ 9.4500 |
| 500+ | $0.0569 | $ 28.4500 |
| 3000+ | $0.0522 | $ 156.6000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,I MOSFET | |
| Scheda Tecnica | Shanghai Prisemi Elec PNMT8N1 | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 20V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 300mA | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 500mΩ@4V,300mA | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 150mW | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 1.1V@1mA |
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