| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | D4N70 |
| Codice Parte EBEE | E85157063 |
| Confezione | TO-252W |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 700V 4A 2.8Ω@10V,2A 54W 4V@250uA TO-252W MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1780 | $ 0.8900 |
| 50+ | $0.1412 | $ 7.0600 |
| 150+ | $0.1254 | $ 18.8100 |
| 500+ | $0.1058 | $ 52.9000 |
| 2500+ | $0.0926 | $ 231.5000 |
| 5000+ | $0.0873 | $ 436.5000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,I MOSFET | |
| Scheda Tecnica | Shandong Jingdao Microelectronics D4N70 | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 2.8Ω@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 12pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 54W | |
| Drain to Source Voltage | 700V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 560pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 55pF | |
| Gate Charge(Qg) | 13nC@10V |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1780 | $ 0.8900 |
| 50+ | $0.1412 | $ 7.0600 |
| 150+ | $0.1254 | $ 18.8100 |
| 500+ | $0.1058 | $ 52.9000 |
| 2500+ | $0.0926 | $ 231.5000 |
| 5000+ | $0.0873 | $ 436.5000 |
