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Shandong Jingdao Microelectronics D4N65


Produttore
Codice Parte Mfr.
D4N65
Codice Parte EBEE
E82875695
Confezione
TO-252-3
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
-
Descrizione
650V 4A 32W 2.6Ω@10V,2A 4V@250uA TO-252-3 MOSFETs ROHS
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50+$0.1877$ 9.3850
150+$0.1669$ 25.0350
500+$0.1409$ 70.4500
2500+$0.1192$ 298.0000
5000+$0.1123$ 561.5000
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TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaTransistor / I trasori ,I MOSFET
Scheda TecnicaShandong Jingdao Microelectronics D4N65
RoHS
Tipo di tipoN-Channel
RDS (on)2.6Ω@10V
Temperatura di funzionamento --55℃~+150℃
Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds)10pF
Number1 N-channel
Pd - Power Dissipation32W
Drain to Source Voltage650V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4V
Current - Continuous Drain(Id)4A
Ciss-Input Capacitance560pF
Output Capacitance(Coss)55pF
Gate Charge(Qg)13nC@10V

Guida all’acquisto

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