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SemiQ GCMX080B120S1-E1
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | GCMX080B120S1-E1 |
| Codice Parte EBEE | E87281235 |
| Confezione | SOT-227 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 1.2kV 30A 142W 100mΩ@20V,20A 2.8V@10mA 1 N-channel SOT-227 MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $44.8592 | $ 44.8592 |
| 200+ | $17.8994 | $ 3579.8800 |
| 500+ | $17.3018 | $ 8650.9000 |
| 1000+ | $17.0072 | $ 17007.2000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,I MOSFET | |
| Scheda Tecnica | SemiQ GCMX080B120S1-E1 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 1.2kV | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 30A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 100mΩ@20V,20A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 142W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 2.8V@10mA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 8pF@1000V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 1.336nF@1000V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 58nC@20V |
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|---|---|---|
| 1+ | $44.8592 | $ 44.8592 |
| 200+ | $17.8994 | $ 3579.8800 |
| 500+ | $17.3018 | $ 8650.9000 |
| 1000+ | $17.0072 | $ 17007.2000 |
