| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | RU1L002SNMGTL |
| Codice Parte EBEE | E82981762 |
| Confezione | SOT-323-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 60V 250mA 200mW 2.4Ω@10V,250mA 1V@1mA 1 N-Channel SOT-323-3 MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0431 | $ 0.4310 |
| 100+ | $0.0352 | $ 3.5200 |
| 300+ | $0.0312 | $ 9.3600 |
| 3000+ | $0.0251 | $ 75.3000 |
| 6000+ | $0.0227 | $ 136.2000 |
| 9000+ | $0.0215 | $ 193.5000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,I MOSFET | |
| Scheda Tecnica | ROHM Semicon RU1L002SNMGTL | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo di tipo | 1 N-Channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 60V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 250mA | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 2.4Ω@10V,250mA | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 200mW | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 1V@1mA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 2pF | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 15pF@0V |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0431 | $ 0.4310 |
| 100+ | $0.0352 | $ 3.5200 |
| 300+ | $0.0312 | $ 9.3600 |
| 3000+ | $0.0251 | $ 75.3000 |
| 6000+ | $0.0227 | $ 136.2000 |
| 9000+ | $0.0215 | $ 193.5000 |
