| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | RQ3E130MNTB1 |
| Codice Parte EBEE | E8308745 |
| Confezione | HSMT-8(3x3.2) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 30V 13A 2W 8.1mΩ@10V,13A 2.5V@1mA 1 N-Channel HSMT-8(3x3.2) MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3612 | $ 0.3612 |
| 10+ | $0.3180 | $ 3.1800 |
| 30+ | $0.2998 | $ 8.9940 |
| 100+ | $0.2763 | $ 27.6300 |
| 500+ | $0.2276 | $ 113.8000 |
| 1000+ | $0.2222 | $ 222.2000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,I MOSFET | |
| Scheda Tecnica | ROHM Semicon RQ3E130MNTB1 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo di tipo | 1 N-Channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 30V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 13A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 8.1mΩ@10V,13A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 2W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 2.5V@1mA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 90pF | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 840pF@0V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 6.6nC@10V |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3612 | $ 0.3612 |
| 10+ | $0.3180 | $ 3.1800 |
| 30+ | $0.2998 | $ 8.9940 |
| 100+ | $0.2763 | $ 27.6300 |
| 500+ | $0.2276 | $ 113.8000 |
| 1000+ | $0.2222 | $ 222.2000 |
