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ROHM Semicon RGT50NS65DGTL
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | RGT50NS65DGTL |
| Codice Parte EBEE | E8308739 |
| Confezione | TO-263-2 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 194W 48A 650V FS(Field Stop) TO-263-2 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.5766 | $ 3.5766 |
| 10+ | $3.1185 | $ 31.1850 |
| 30+ | $2.8336 | $ 85.0080 |
| 100+ | $2.5397 | $ 253.9700 |
| 500+ | $2.0449 | $ 1022.4500 |
| 1000+ | $1.9865 | $ 1986.5000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,Transistor / Moduli IGBT | |
| Scheda Tecnica | ROHM Semicon RGT50NS65DGTL | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -40℃~+175℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | FS(Field Stop) | |
| Corrente del collettore (Ic) | 48A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 194W | |
| Tensione di rottura del collettore-emettitore (Vces) | 650V | |
| Capacità di ingresso (Cies-Vce) | - | |
| Porta-emettitore Tensione della soglia (Vge(th)-Ic) | - | |
| Tempo di recupero inverso del Diode (Trr) | 58ns | |
| - Si gira? - Si'. Perdita di commutazione (Eon) | - |
Guida all’acquisto
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|---|---|---|
| 1+ | $3.5766 | $ 3.5766 |
| 10+ | $3.1185 | $ 31.1850 |
| 30+ | $2.8336 | $ 85.0080 |
| 100+ | $2.5397 | $ 253.9700 |
| 500+ | $2.0449 | $ 1022.4500 |
| 1000+ | $1.9865 | $ 1986.5000 |
