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ROHM Semicon RGT30NS65DGTL
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | RGT30NS65DGTL |
| Codice Parte EBEE | E82688827 |
| Confezione | TO-263 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 133W 30A 650V FS(Field Stop) TO-263 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.2789 | $ 4.2789 |
| 200+ | $1.6563 | $ 331.2600 |
| 500+ | $1.5993 | $ 799.6500 |
| 1000+ | $1.5689 | $ 1568.9000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,Transistor / Moduli IGBT | |
| Scheda Tecnica | ROHM Semicon RGT30NS65DGTL | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -40℃~+175℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | FS(Field Stop) | |
| Corrente del collettore (Ic) | 30A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 133W | |
| - Si gira? - Si'. Tempo di ritardo (Td(off)) | 64ns | |
| - Si gira? - Si'. Tempo di ritardo (Td(on)) | 18ns | |
| Tensione di rottura del collettore-emettitore (Vces) | 650V | |
| Capacità di ingresso (Cies-Vce) | - | |
| Porta-emettitore Tensione della soglia (Vge(th)-Ic) | 2.1V@15V,15A | |
| Carica totale del cancello (Qg-Ic,Vge) | 32nC | |
| Tempo di recupero inverso del Diode (Trr) | 55ns | |
| - Si gira? - Si'. Perdita di commutazione (Eon) | - |
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| 1+ | $4.2789 | $ 4.2789 |
| 200+ | $1.6563 | $ 331.2600 |
| 500+ | $1.5993 | $ 799.6500 |
| 1000+ | $1.5689 | $ 1568.9000 |
