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RENESAS NP28N10SDE-E1-AY
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | NP28N10SDE-E1-AY |
| Codice Parte EBEE | E87321212 |
| Confezione | TO-252 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 100V 28A 52mΩ@10V,14A 2.5V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.2421 | $ 4.2421 |
| 200+ | $1.6940 | $ 338.8000 |
| 500+ | $1.6374 | $ 818.7000 |
| 1000+ | $1.6082 | $ 1608.2000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,I MOSFET | |
| Scheda Tecnica | RENESAS NP28N10SDE-E1-AY | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -40℃~+175℃ | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 100V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 28A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 52mΩ@10V,14A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 1.2W;100W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 2.5V@250uA | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 3.3nF@25V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 75nC@10V |
Guida all’acquisto
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| 1+ | $4.2421 | $ 4.2421 |
| 200+ | $1.6940 | $ 338.8000 |
| 500+ | $1.6374 | $ 818.7000 |
| 1000+ | $1.6082 | $ 1608.2000 |
