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PN Junction Semiconductor P3M12080G7
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | P3M12080G7 |
| Codice Parte EBEE | E87256048 |
| Confezione | D2PAK-7 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| Descrizione | 1.2kV 32A 96mΩ@15V,20A 136W 2.2V@30mA 1 N-channel D2PAK-7 MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $31.1511 | $ 31.1511 |
| 200+ | $12.4308 | $ 2486.1600 |
| 500+ | $12.0143 | $ 6007.1500 |
| 1000+ | $11.8087 | $ 11808.7000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,I MOSFET | |
| Scheda Tecnica | PN Junction Semiconductor P3M12080G7 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 1.2kV | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 32A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 96mΩ@15V,20A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 136W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 2.2V@30mA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 6pF@800V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 2032pF@800V |
Guida all’acquisto
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|---|---|---|
| 1+ | $31.1511 | $ 31.1511 |
| 200+ | $12.4308 | $ 2486.1600 |
| 500+ | $12.0143 | $ 6007.1500 |
| 1000+ | $11.8087 | $ 11808.7000 |
