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PN Junction Semiconductor P3M12040G7
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | P3M12040G7 |
| Codice Parte EBEE | E87023109 |
| Confezione | D2PAK-7 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| Descrizione | 1.2kV 63A 53mΩ@15V,40A 349W 1.6V@10mA 1 N-channel D2PAK-7 MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $60.6656 | $ 60.6656 |
| 200+ | $24.2064 | $ 4841.2800 |
| 500+ | $23.3977 | $ 11698.8500 |
| 1000+ | $22.9986 | $ 22998.6000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,I MOSFET | |
| Scheda Tecnica | PN Junction Semiconductor P3M12040G7 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 1.2kV | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 63A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 53mΩ@15V,40A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 349W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 1.6V@10mA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 5.4pF@800V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 3505pF@800V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 98nC@15V |
Guida all’acquisto
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| 1+ | $60.6656 | $ 60.6656 |
| 200+ | $24.2064 | $ 4841.2800 |
| 500+ | $23.3977 | $ 11698.8500 |
| 1000+ | $22.9986 | $ 22998.6000 |
