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PN Junction Semiconductor P3M12025K4
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | P3M12025K4 |
| Codice Parte EBEE | E86352269 |
| Confezione | TO-247-4L |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| Descrizione | 1.2kV 112A 577W 35mΩ@15V,50A 2.2V@50mA 1 N-channel TO-247-4L MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $83.1105 | $ 83.1105 |
| 200+ | $33.1627 | $ 6632.5400 |
| 500+ | $32.0542 | $ 16027.1000 |
| 1000+ | $31.5070 | $ 31507.0000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,I MOSFET | |
| Scheda Tecnica | PN Junction Semiconductor P3M12025K4 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| La configurazione | - | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 1.2kV | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 112A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 35mΩ@15V,50A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 577W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 2.2V@50mA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 18pF@800V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 6775pF@800V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | - |
Guida all’acquisto
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|---|---|---|
| 1+ | $83.1105 | $ 83.1105 |
| 200+ | $33.1627 | $ 6632.5400 |
| 500+ | $32.0542 | $ 16027.1000 |
| 1000+ | $31.5070 | $ 31507.0000 |
