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PN Junction Semiconductor P3M06060G7
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | P3M06060G7 |
| Codice Parte EBEE | E86625354 |
| Confezione | D2PAK-7 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 650V 44A 159W 79mΩ@15V,20A 1.8V@20mA 1 N-channel D2PAK-7 MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $30.0168 | $ 30.0168 |
| 200+ | $11.9785 | $ 2395.7000 |
| 500+ | $11.5777 | $ 5788.8500 |
| 1000+ | $11.3790 | $ 11379.0000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,I MOSFET | |
| Scheda Tecnica | PN Junction Semiconductor P3M06060G7 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 650V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 44A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 79mΩ@15V,20A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 159W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 1.8V@20mA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 15.3pF@400V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 1911pF@400V |
Guida all’acquisto
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| 1+ | $30.0168 | $ 30.0168 |
| 200+ | $11.9785 | $ 2395.7000 |
| 500+ | $11.5777 | $ 5788.8500 |
| 1000+ | $11.3790 | $ 11379.0000 |
