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PJSEMI PJM02N60SA
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | PJM02N60SA |
| Codice Parte EBEE | E82856840 |
| Confezione | SOT-23 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 60V 2A 105mΩ@10V,3A 900mW 2V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0623 | $ 0.6230 |
| 100+ | $0.0500 | $ 5.0000 |
| 300+ | $0.0439 | $ 13.1700 |
| 3000+ | $0.0356 | $ 106.8000 |
| 6000+ | $0.0319 | $ 191.4000 |
| 9000+ | $0.0301 | $ 270.9000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,I MOSFET | |
| Scheda Tecnica | PJSEMI PJM02N60SA | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 125mΩ@4.5V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 26pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 900mW | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2A | |
| Ciss-Input Capacitance | 510pF | |
| Gate Charge(Qg) | 7.5nC@10V |
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| 100+ | $0.0500 | $ 5.0000 |
| 300+ | $0.0439 | $ 13.1700 |
| 3000+ | $0.0356 | $ 106.8000 |
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