| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | PTW69N30 |
| Codice Parte EBEE | E8575802 |
| Confezione | TO-3P-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 300V 69A 35mΩ@10V,35A 520W 2V@250uA 1 N-channel TO-3P-3 MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.6732 | $ 2.6732 |
| 10+ | $2.3394 | $ 23.3940 |
| 30+ | $2.1300 | $ 63.9000 |
| 100+ | $1.9153 | $ 191.5300 |
| 500+ | $1.8194 | $ 909.7000 |
| 1000+ | $1.7769 | $ 1776.9000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,I MOSFET | |
| Scheda Tecnica | PIP PTW69N30 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 300V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 69A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 35mΩ@10V,35A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 520W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 2V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 130pF@25V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | - | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 150nC@150V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.6732 | $ 2.6732 |
| 10+ | $2.3394 | $ 23.3940 |
| 30+ | $2.1300 | $ 63.9000 |
| 100+ | $1.9153 | $ 191.5300 |
| 500+ | $1.8194 | $ 909.7000 |
| 1000+ | $1.7769 | $ 1776.9000 |
