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onsemi HGTP5N120BND
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | HGTP5N120BND |
| Codice Parte EBEE | E8898683 |
| Confezione | TO-220AB |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 167W 21A 1.2kV NPT (non-penetrating type) TO-220AB-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Specifiche
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|---|---|---|
| Categoria | Transistors/Thyristors ,IGBT Transistors / Modules | |
| Scheda Tecnica | onsemi HGTP5N120BND | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 1.2kV | |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | 6V@45uA | |
| Pd - Power Dissipation | 167W | |
| IGBT Type | NPT (Non-Punch Through) | |
| Gate Charge(Qg) | 53nC | |
| Td(off) | 160ns | |
| Td(on) | 22ns | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 65ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 450uJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 600uJ |
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