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onsemi HGTG11N120CND
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | HGTG11N120CND |
| Codice Parte EBEE | E811755 |
| Confezione | TO-247AC-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 298W 43A 1.2kV NPT (non-penetrating type) TO-247AC-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistors/Thyristors ,IGBT Transistors / Modules | |
| Scheda Tecnica | onsemi HGTG11N120CND | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 1.2kV | |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | 6V@90uA | |
| Pd - Power Dissipation | 298W | |
| IGBT Type | NPT (Non-Punch Through) | |
| Gate Charge(Qg) | 120nC@15V | |
| Td(off) | 240ns | |
| Td(on) | 26ns | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 70ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 1.3mJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 950uJ | |
| Input Capacitance(Cies) | - |
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