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onsemi FGL60N100BNTDTU


Produttore
Codice Parte Mfr.
FGL60N100BNTDTU
Codice Parte EBEE
E8105610
Confezione
TO-264-3
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
EAR99
Descrizione
180W 60A 1kV TO-264-3 IGBT Transistors / Modules ROHS
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TipoDescrizione
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CategoriaTransistors/Thyristors ,IGBT Transistors / Modules
Scheda Tecnicaonsemi FGL60N100BNTDTU
RoHS
Operating Temperature-55℃~+150℃@(Tj)
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)1kV
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)4V@60mA
Pd - Power Dissipation180W
IGBT TypeNPT (Non-Punch Through)
Gate Charge(Qg)275nC@15V
Td(off)630ns
Td(on)140ns
Reverse Transfer Capacitance (Cres)200pF
Reverse Recovery Time(trr)1.2us
Turn-On Energy (Eon)-
Input Capacitance(Cies)6nF
Output Capacitance(Coes)260pF

Guida all’acquisto

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