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onsemi FGH50T65SQD-F155


Produttore
Codice Parte Mfr.
FGH50T65SQD-F155
Codice Parte EBEE
E8132704
Confezione
TO-247-G03
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
EAR99
Descrizione
268W 100A 650V FS(Field Stop) TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS
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TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaTransistors/Thyristors ,IGBT Transistors / Modules
Scheda Tecnicaonsemi FGH50T65SQD-F155
RoHS
Operating Temperature-55℃~+175℃@(Tj)
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)650V
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)2.6V@50mA
Pd - Power Dissipation268W
IGBT TypeFS (Field Stop)
Gate Charge(Qg)99nC@15V
Td(off)105ns
Td(on)22ns
Reverse Transfer Capacitance (Cres)12pF
Reverse Recovery Time(trr)31ns
Switching Energy(Eoff)45uJ
Turn-On Energy (Eon)180uJ
Input Capacitance(Cies)3.275nF
Pulsed Current- Forward(Ifm)200A
Output Capacitance(Coes)84pF

Guida all’acquisto

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