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NTE ELECTRONICS, INC. NTE102
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | NTE102 |
| Codice Parte EBEE | E86622474 |
| Confezione | TO-5 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 24V 150mW 30@12mA,150mV 150mA PNP TO-5 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $16.7434 | $ 16.7434 |
| 200+ | $6.6804 | $ 1336.0800 |
| 500+ | $6.4573 | $ 3228.6500 |
| 1000+ | $6.3474 | $ 6347.4000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Scheda Tecnica | NTE Electronics NTE102 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -65℃~+100℃@(Tj) | |
| Corrente del collettore (Ic) | 150mA | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 150mW | |
| Ritaglio di taglio corrente (Icbo) | 5uA | |
| Tensione di Ripartizione del Collettore-Emettitore (Vceo) | 24V | |
| Guadagno di corrente di CC (hFE-Ic,Vce) | 30@12mA,150mV | |
| Tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat)-Ic, Ib) | 200mV@1mA,24mA | |
| Tipo di transistor | PNP |
Guida all’acquisto
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| 1+ | $16.7434 | $ 16.7434 |
| 200+ | $6.6804 | $ 1336.0800 |
| 500+ | $6.4573 | $ 3228.6500 |
| 1000+ | $6.3474 | $ 6347.4000 |
