| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | 2N5460 |
| Codice Parte EBEE | E817182514 |
| Confezione | TO-92-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| Descrizione | 350mW 1 P-Channel 1mA 40V TO-92-3 JFETs RoHS |
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0263 | $ 3.0263 |
| 200+ | $1.2078 | $ 241.5600 |
| 500+ | $1.1669 | $ 583.4500 |
| 1000+ | $1.1472 | $ 1147.2000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,JFETs | |
| Scheda Tecnica | NTE Electronics 2N5460 | |
| Temperatura di funzionamento | -65℃~+135℃ | |
| La configurazione | - | |
| RDS (on) | - | |
| Tipo di FET | P-Channel | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 350mW | |
| Ciss-Input Capacitance | 7pF | |
| Output Capacitance(Coss) | - | |
| Drain Current (Idss) | 1mA | |
| Gate-Source Breakdown Voltage (Vgss) | 40V | |
| Gate-Source Cutoff Voltage (VGS(off)) | 750mV | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 1pF |
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0263 | $ 3.0263 |
| 200+ | $1.2078 | $ 241.5600 |
| 500+ | $1.1669 | $ 583.4500 |
| 1000+ | $1.1472 | $ 1147.2000 |
