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onsemi MMBFJ112
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | MMBFJ112 |
| Codice Parte EBEE | E8258195 |
| Confezione | SOT-23-3L |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 350mW 5mA@15V N-channel 50Ω 35V SOT-23-3L JFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1437 | $ 0.7185 |
| 50+ | $0.1179 | $ 5.8950 |
| 150+ | $0.1050 | $ 15.7500 |
| 500+ | $0.0953 | $ 47.6500 |
| 3000+ | $0.0736 | $ 220.8000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistors/Thyristors ,JFETs | |
| Scheda Tecnica | onsemi MMBFJ112 | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| RDS(on) | 50Ω | |
| FET Type | - | |
| Pd - Power Dissipation | 350mW | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Drain Current (Idss) | 5mA@15V | |
| Gate-Source Breakdown Voltage (Vgss) | 35V | |
| Gate-Source Cutoff Voltage (VGS(off)) | 1V@1uA |
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