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NIKO Semicon PA410BD
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | PA410BD |
| Codice Parte EBEE | E8532967 |
| Confezione | TO-252-2 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 100V 10A 140mΩ@10V,5A 35W 2.3V@250uA 1 N-channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Transistor / I trasori ,I MOSFET | |
| Scheda Tecnica | NIKO Semicon PA410BD | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 100V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 10A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 140mΩ@10V,5A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 35W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 2.3V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 22pF@25V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 330pF@25V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 8.6nC@10V |
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